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2SB1204 TO-251 Bipolar Transistor
DZD 60
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Description
Material of Transistor : Si
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 20 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 50 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 8 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Transition Frequency (ft): 130 MHz
Collector Capacitance (Cc): 95 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 70
Noise Figure, dB: -
